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硅片清洗機是利用超聲波清洗技術，在清洗過程中超聲波頻率在合理的范圍內往復掃動，帶動清洗液形成細微回流，使工件污垢在被超聲剝離的同時迅速帶離工件表面，提高清洗效率。一、硅片清洗機的工作原理是什么1、真空脫氣，有效去除液體中氣體，且運用拋動功能，增強超聲對工件表面油污和污垢的清洗能力，縮短清洗時間。2、洗籃轉動機構，重疊不可分拆的零件或形狀復雜的零件，也可做到均勻完整的清洗。3、減壓真空系統，能吸出盲孔、縫隙及疊加零件之間的空氣，使超聲波在減壓的狀態下產生驚人的清洗效果。4、真空...

微波等離子去膠機適用于小批量生產和研發的設備。并且，此系統可以滿足360度的芯片封裝需要。AL18系統是一款創新型的通用設備，可選配旋轉轉盤，及ECR(電子回旋共振)裝置。微波等離子去膠機的工作原理：氧等離子去膠是利用氧氣在微波發生器的作用下產生氧等離子體，具有活性的氧等離子體與有機聚合物發生氧化反應，是的有機聚合物被氧化成水汽和二氧化碳等排除腔室，從而達到去除光刻膠的目的，這個過程我們有時候也稱之為灰化或者掃膠。氧等離子去膠相比于濕法去膠工藝更為簡單、適應性更好，去膠過程純...

主要功能：主要用于半導體應用，及各種需要進行微納工藝濺射鍍膜的情形。可以用于金屬材料（金、銀、銅、鎳、鉻等）的直流濺射、直流共濺射，絕緣材料（如陶瓷等）的射頻濺射，以及反應濺射能力。基片可支持硅片，氧化硅片，玻璃片，以及對溫度敏感的有機柔性基片等。工作原理：通過分子泵和機械泵組成的兩級真空泵對不銹鋼腔體抽真空，當廣域真空計顯示的讀數達到10-6Torr量級或更高的真空時，主系統的控制軟件通過控制質量流量計精確控制Ar氣體(如需要濺射氧化物薄膜，可增加O2)，此時可以設定工藝所...

微波等離子去膠清洗機是石英腔的微波等離子系統，可以安裝到超凈間墻上。該系列的微波等離子系統可以用于批處理，也可以作為單片處理，系統為計算機全自動控制的系統。典型工藝包含：大劑量離子注入后的光刻膠去除；干法刻蝕工藝的前處理或后處理；MEMS制造中的犧牲層去除。下面為大家介紹微波等離子去膠清洗機使用中的四大影響因素，希望對大家有所幫助。一、調整合適的頻率：頻率越高，氧越容易電離形成等離子體。如果頻率過高，使電子振幅短于其平均自由程，電子與氣體分子碰撞的概率就會降低，導致電離率降低...

離子銑刻蝕系統是利用離子束轟擊固體表面的濺射作用，剝離加工各種幾何圖形，通過大面積離子源產生的離子束，可對固體材料濺射刻蝕，對固體器件進行微細加工。離子銑刻蝕系統的原理：氬氣在輝光放電原理的作用下被分解為氬離子，氬離子通過陽極電場的加速物理轟擊樣品表面來使得刻蝕的作用達到。往離子源放電室充入氬氣并且使其電離使得等離子體形成，然后通過柵極引出離子呈束狀并且加速，往工作室進入一定能量的離子束，往固體表面射向對固體表面原子進行轟擊，使材料原子發生濺射，使刻蝕目的達到，屬于純物理刻蝕...

兆聲清洗機不僅保存了超聲波清洗的優點，而且克服了它的不足。在清洗時，由換能器發出波長為1μm頻率為0.8兆赫的高能聲波。溶液分子在這種聲波的推動下作加速運動，最大瞬時速度可達到30cm/s。因此，形成不了超聲波清洗那樣的氣泡,而只能以高速的流體波連續沖擊晶片表面,使硅片表面附著的污染物的細小微粒被強制除去并進入到清洗液中。兆聲清洗機的操作規程：1、遵守鑄造設備通用操作規程。2、工作前還必須遵守：a、檢查管路系統有無漏氣漏水的情況，如有這種情況，應通知維修人員修理。b、檢查清洗...

ICP刻蝕機是帶ICP等離子源和偏壓樣品臺的高速刻蝕系統，系統可以達到高速率、低損傷、高深寬比的刻蝕效果。可實現范圍廣泛的刻蝕工藝，包括刻蝕III-V化合物(如GaAs，InP，GaN，InSb)、II-VI化合物、介質材料、玻璃、石英、金屬，以及硅和硅的化合物(如SiO2、Si3N4、SiC、SiGe)等。ICP刻蝕機的工作原理：感應耦合等離子體刻蝕法(InductivelyCoupledPlasmaEtch，簡稱ICPE)是化學過程和物理過程共同作用的結果。它的基本原理是...

硅片清洗機可以適用于易受損的帶圖案或無圖案的基片，包含帶保護膜的掩模版。為了在確保不損傷基片的情況下達到優化的清洗效果，兆聲能量的密度必須保持在稍稍低于樣片上任意位置上的損傷閾值。NANO-MASTER的技術確保了聲波能量均勻分布到整個基片表面，通過分布能量的z大化支持z理想的清洗，同時保證在樣片的損傷閾值范圍內。硅片清洗機應用：帶圖案或不帶圖案的掩模版和晶圓片Ge,GaAs以及InP晶圓片清洗CMP處理后的晶圓片清洗晶圓框架上的切粒芯片清洗等離子刻蝕或光刻膠剝離后的清洗帶保...